最先端半導体の量産を目指すラピダスと米IBMは、回路線幅が2ナノ（ナノは10億分の1）メートルの半導体を性能通りに動かすための中核技術を共同開発した。半導体の中を流れる電流の電圧を細かく制御する。ラピダスが2025年4月に製造を始める試作品に今回の技術を取り入れる。米サンフランシスコで開催されている「国際電子デバイス会議（IEDM）」で論文が採択され、9日に2社が研究成果を発表した。ラピダスと